Name 쇼클리 William Shockley
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쇼클리-William Shockley,교수,노벨상,England-USA
윌리엄 쇼클리(William Shockley) 물리학자


[출생-사망] 1910년 2월 13일, 영국
~ 1989년 8월 12일 (79세)
[국적] 미국
[활동분야] 물리학
[출생지] 영국 런던

[학력사항]
~ 1936 매사추세츠공과대학 대학원 박사
~ 1932 캘리포니아공과대학교 학사

[경력사항]
1963 ~ 1975 미국 스탠퍼드대학교 포니아토프좌 공학교수
1955 쇼클리 반도체 연구소 설립
1954 ~ 1955 미국 캘리포니아공과대학교 물리학 객원교수
1936 벨연구소

[수상내역]
1956 노벨물리학상


[요약] 미국의 물리학자. 고체의 에너지띠
에 관련된 문제를 비롯하여, 합금의 질서
와 무질서, 진공관의 이론, 구리의 자기확
산, 전위의 이론, 강자성체의 자기구역에
관한 이론과 실험, 염화은의 광전자에 관
한 실험 등 뛰어난 업적을 남겼다.

1910년 2월 13일 영국 런던에서 출생하였
다. 1913년 광산의 기사인 아버지를 따라
미국으로 건너가 캘리포니아공과대학교를
졸업하고, 매사추세츠공과대학의 J.C.슬레
이터 밑에서 연구, 1936년 염화나트륨의 에
너지띠[帶] 구조에 관한 연구로 학위를 받
았다. 1936년부터 벨전화연구소에 근무하며
(제2차 세계대전 중에는 해군에서 근무)
C.J.데이비슨의 그룹에 참여하여 연구를 계속했다.


고체의 에너지띠에 관련된 문제를 비롯하
여, 합금의 질서와 무질서, 진공관의 이
론, 구리의 자기확산(自己擴散), 전위(轉
位)의 이론, 강자성체(强磁性體)의 자기구
역(磁氣區域)에 관한 이론과 실험, 염화은
의 광전자(光電子)에 관한 실험 등 뛰어난
업적을 남겼다.

특히 p-n 접합형 트랜지스터를 발명함으로
써 현대의 전자공업의 기초를 이룩하는 등
반도체물리학에의 공적이 컸다. 그 공헌도
가 높이 평가되어, 1956년 J.바딘, W.H.브
래튼과 함께 노벨물리학상을 수상했다. 그
밖에 연구소의 생산성에 관한 오퍼레이션
스 리서치의 연구가 있다. 그후 베크만사
(社)의 반도체연구소(쇼클리연구소) 소장,
스탠퍼드대학교 교수를 지냈다.


---------------------------------------
[출생] 1910년 2월 13일, 영국, 런던
[사망] 1989년 8월 12일 (79세)
미국, 스탠포드
[국적] 미국
[분야] 물리학
[소속]
벨 연구소, 쇼클리 반도체 연구소
스탠포드 대학교
[출신 대학]
캘리포니아 공과대학교, MIT
[주요 업적] 트렌지스터의 발명
[수상] 노벨 물리학상 (1956)

윌리엄 브래드퍼드 쇼클리
(William Bradford Shockley
1910년 2월 13일~1989년 8월 12일)는 미국
물리학자이다. 존 바딘, 월터 하우저 브래
튼과 함께 트랜지스터를 공동 발명했고
1956년 P·N 접합의 전자론적 연구 등 전
자 연구에 이바지한 공로로, 노벨 물리학상
을 수상했다. 1950년대와 60년대 새로운 트
랜지스터 디자인을 상업화하려한 그의 노력
은 실리콘 밸리의 탄생으로 이어졌다. 과학
적 업적 이외에 우생학적 믿음을 갖고 있었
던 것 때문에 많은 논쟁을 불러 일으켰다.


[생애]
[학창시절]
영국 런던에서 태어났으나, 부모는 미국인
이었던 이유로 미국 캘리포니아 주에서 자
랐다. 1932년 캘리포니아 공과대학에서 학
사를 졸업하고, 1936년 MIT에서 박사학위
를 받는다. 박사학위의 제목은 〈염화나트
륨 결정에서 전자 파동함수의 계산〉
(Calculation of Electron Wave Functions
in Sodium Chloride Crystals)이다.

[연구활동]
박사학위를 받은 후, 쇼클리는 바로 데이비
슨이 이끌던 벨 연구소(뉴저지 소재)에 합
류한다. 그리고 1940년대에 바딘과 브래튼
이 속해있던 쇼클리의 그룹은 진공관을 대
체할 소자를 개발하기 위한 연구를 진행하
는데, 앰프에 사용되는 부품인 진공관이 쉽
게 깨지는 문제가 있었기 때문이다. 쇼클리
는 바딘과 브래튼을 각자 연구하도록 내버
려두고 혼자 연구를 진행하며, 가끔 그들
의 연구를 지도하러 들렀다고 한다.

1947년 12월은 바딘과 브래튼이 point-
contact transistor를 만들어낸 벨 연구소
기적의 달로 기록된다. 그러나 쇼클리는 팀
의 연구가 전기장 효과를 이용하자는 자신
의 아이디어에 기반한 것이었기에 자신이
특허를 가져야 한다고 생각했다. 그는 특허
를 자신의 이름만 써서 출원하려 했으며 이
런 생각을 바딘과 브래튼에게 말했다. 동시
에 그는 비밀리에 다른 종류의 트랜지스터
(접합 트랜지스터)를 만들기 위한 노력을
기울인다. 그는 접합 트랜지스터가 더 상업
성이 있다고 생각했다.

벨 연구소의 변호사는 곧 쇼클리의 전기장
효과 원리가 1930년에 이미 줄리어스 릴리
엔펠드에 의해 특허출원중이었다는 사실을
알아낸다. 특허를 새롭게 얻을 수 있을 것
으로 예상되었지만, 벨 연구소는 특허가 거
부될 위험을 감수하지 않기로 결정하고, 특
허를 바딘-브래튼 디자인에만 적용하도록
한정한다. 따라서 쇼클리의 이름은 특허에
서 빠지게 된다.


[트랜지스터 발명]
이동안 쇼클리는 전자의 유동(drift), 확산
(diffusion)에 대한 획기적인 아이디어를
생각 해 내고, 고체 결정에서 전자 흐름을
결정하는 미분 방정식을 세우는 작업을 한
다. 그는 또한 마이너리티 캐리어 인젝션
(minority carrier injection)의 가능성을
생각해 내는데, 이 생각은 몇주 후 샌드위
치 트랜지스터 개념으로 발전한다. 이로써
1951년 7월 5일 쇼클리는 접합 트랜지스터
(BJT)를 발명하게 되고, 이 발명에 대한 특
허권도 그가 갖게 된다..

트랜지스터의 발명이라는 사건으로 쇼클리
는 여론의 큰 관심을 얻게 된다. 쇼클리의
연설과 강연은 인기가 있었으며, 미국 정부
나 국방부의 고문으로도 활약한다. 바딘과
브래튼에게 공을 돌리는 것을 잊지 않았지
만, 대중매체들은 그들의 공을 축소하기 일
쑤였다. 이러한 상황은 바딘과 브래튼을 더
욱 소외시켰고, 쇼클리는 두 사람을 접합
트랜지스터 연구에 참여하지 못하도록 하였
다. 바딘은 결국 사직하였고, 브래튼은 쇼
클리와 함께 일하기를 거부하였다.

그의 다소 괴팍한 지도 스타일은 벨 연구소
에서 그가 경영진으로 승진하는 데 도움이
되지 않았고, 그는 연구자, 이론가로서만
평가받았다. 쇼클리는 당연히 받아야 한다
고 생각한 권력과 이득을 원했으며, 따라
서 그는 벨 연구소를 1953년 그만두고 캘리
포니아 공과대학으로 돌아간다.

마침내 그는 대학동창의 전자회사의 한 부
서로, 독립적인 그룹을 이끌게 됐다. 1955
년에 그는 Beckman Instruments에 취직했
고, 거기서 Beckman의 새로운 부서인 쇼클
리 반도체 연구소(Shockley Semiconductor
Laboratory)를 이끌게 된다. 쇼클리는 자신
의 명성과 Beckman의 자금을 이용해서 벨
연구소에서 일하는 옛 동료들을 자신의 연
구소로 데려오려 했으나, 아무도 쇼클리의
연구소로 옮기지 않았다. 그래서 쇼클리는
대신 "자기식"으로 일할 회사를 처음부터
만들기 위해 대학을 돌며 뛰어난 졸업생을
찾아다녔다.

쇼클리의 "자기식"은 요약하자면, "독재적
지배와 심해지는 편집증"이라고 할 수 있
다. 이에 관한 유명한 일화가 있다. 한번
은 쇼클리의 비서가 엄지손가락을 다쳤는
데, 쇼클리는 이것이 자기를 독살하려는 시
도였다고 주장하고는, 거짓말 탐지기를 이
용해서 범인을 찾도록 요구했다. 나중에
이 사건의 원인은 부러진 압핀이었던 것으
로 밝혀졌고, 이때부터 연구원들이 냉담해
지기 시작했다. 그동안 그가 요구한 소자
(오늘날 쇼클리 다이오드라고 알려진 소
자. 그 당시에는 새롭고, 기술적으로 구현
하기 어려운 소자였다)를 개발하는 프로젝
트는 매우 느리게 진행됐다.

1957년 말, 쇼클리의 회사에 있던 연구원 8
명이 회사를 그만두고, 페어차일드 카메라
와 기계 회사로 옮겨가서 반도체 사업부를
만들었고, 쇼클리는 이들은 배신자들이라
고 비난했다. '배신자 8인'에는 나중에 페
어차일드를 떠나 인텔을 차린 로버트 노이
스와 고든 무어도 있었다. 인텔뿐만 아니
라, 내셔널 세미컨덕터와 어드밴스트 마이
크로 디바이시스도 페어차일드에서 갈라져
나온 회사이고, 이런 움직임이 바로 실리콘
벨리의 탄생이었다. 하지만 쇼클리 세미컨
덕터는 쇼클리를 부자로 만들어주지 않았
고, 이익을 내지도 못했다.


1956년부터 스탠퍼드에서 30명 정도 사람들
이 한번씩 모임을 갖고 있는데, 이들은 쇼
클리와 함께 보냈던 시간, 그리고 정보기술
혁명에 쇼클리가 공헌한 점에 대해 회상하
곤 한다.

이 모임의 주최자는 쇼클리에 대해 이렇게
말한다. "실리콘밸리에 실리콘을 가져온
사람이 바로 쇼클리입니다"


======================================
William Shockley

[Born] William Bradford Shockley Jr.
February 13, 1910,
Greater London, England, United Kingdom
[Died] August 12, 1989 (aged 79)
Stanford, California, United States
[Nationality] American
[Institutions]
Bell Labs
Shockley Semiconductor
Stanford University
[Alma mater] MIT, Caltech
[Known for]
Point-contact transistor and BJT
Shockley diode equation
Read-Shockley equation
Shockley diode
Shockley-Ramo theorem
Haynes-Shockley experiment
Shockley-Queisser limit

[Notable awards]
Nobel Prize in Physics (1956)
Comstock Prize in Physics (1953)
Oliver E. Buckley Condensed Matter
Prize (1953)
Wilheln Exner Medal (1963)
IEEE Medal of Honor (1980)

William Bradford Shockley Jr.
(February 13, 1910~August 12, 1989) was
an American physicist and inventor.
Shockley was the manager of a research
group that included John Bardeen and
Walter Brattain. The three scientists
invented the point contact transistor
in 1947 and were jointly awarded the
1956 Nobel Prize in Physics.

Shockley's attempts to commercialize a
new transistor design in the 1950s and
1960s led to California's "Silicon
Valley" becoming a hotbed of
electronics innovation. In his later
life, Shockley was a professor of
electrical engineering at Stanford
University and became a proponent of eugenics.

(from naver.com 네이버 지식백과 두산백과 wikipedia.org)


British, Bell labs ~
(PIG: time-variant)

Positive Influence GRADE (PIG): B


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